[发明专利]一种提高发光效率的LED外延结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210766428.1 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN114975703A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 王莎莎;万志;陈少彬;史成丹;卓祥景;柯志杰;艾国齐 | 申请（专利权）人： | 厦门未来显示技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王娇娇 |
| 地址： | 361006 福建省厦门市火炬高新区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种提高发光效率的LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构包括：衬底、以及在所述衬底一侧表面依次生长的缓冲层、N‑GaN层、多量子阱结构以及P‑GaN层；其中，所述多量子阱结构由多个量子垒和量子阱交替形成，所述量子阱包括在所述量子垒上依次生长的InN层、InGaN层、GaN层以及AlInGaN层，所述GaN层和所述AlInGaN层构成Cap层，且在所述N‑GaN层到所述P‑GaN层之间，所述Cap层采用Al/In渐变的生长方式，能够起到极化匹配，形成高导带势垒，减小电子泄露的作用，并且在所述量子阱的生长初期，采用预通In的生长方式，形成InN团簇，增加In的并入，从而减少穿透位错，增加辐射复合发光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发光 效率 led 外延 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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