[发明专利]硅片扩散方法、太阳能电池片、电池组件和光伏系统在审
| 申请号： | 202210762021.1 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115346862A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 刘海泉;杨二存;赵小平;时宝;林纲正;陈刚 | 申请（专利权）人： | 天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 张红伟 |
| 地址： | 300400 天津市北辰区天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种硅片扩散方法、太阳能电池片、电池组件和光伏系统，硅片扩散方法包括：将硅片置于扩散炉中并进行加热抽真空处理；通入氧气、氮气和三氯氧磷在硅片的表面进行第一次沉积；升温并进行无源推进处理；降温至790℃‑810℃且通入氧气650sccm‑670sccm、氮气和三氯氧磷455mg/min‑475mg/min以在硅片的表面进行第二次沉积从而得到扩散后的硅片，其中，扩散后的硅片的方阻为170Ω‑200Ω。如此，通过将第二次沉积中的各个工艺参数调整至上述范围可以有效的将扩散后硅片的方阻提高至170Ω‑200Ω从而有效的降低硅片表面的掺杂浓度，以减少复合、提高开路电压，从而提高由硅片制成的太阳能电池片的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 扩散 方法 太阳能电池 电池 组件 系统 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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