[发明专利]硅片扩散方法、太阳能电池片、电池组件和光伏系统

权利要求书

1.一种硅片扩散方法，其特征在于，包括：

将硅片置于扩散炉中并进行加热抽真空处理；

通入氧气、氮气和三氯氧磷在所述硅片的表面进行第一次沉积；

升温并进行无源推进处理；

降温至790℃-810℃且通入氧气650sccm-670sccm、氮气和三氯氧磷455mg/min-475mg/min以在所述硅片的表面进行第二次沉积从而得到扩散后的所述硅片，其中，扩散后的所述硅片的方阻为170Ω-200Ω。

2.根据权利要求1所述的硅片扩散方法，其特征在于，扩散后的所述硅片的表面的磷掺杂浓度为2.5*10²⁰个/cm³-3*10²⁰个/cm³。

3.根据权利要求1所述的硅片扩散方法，其特征在于，第二次沉积中的温度为800℃，氧气流量为660sccm，三氯氧磷的流量为465mg/min。

4.根据权利要求1所述的硅片扩散方法，其特征在于，所述第二次沉积中的沉积时间为5min-7min。

5.根据权利要求1所述的硅片扩散方法，其特征在于，扩散后的所述硅片的方阻为184Ω-188Ω。

6.根据权利要求1所述的硅片扩散方法，其特征在于，所述通入氧气、氮气和三氯氧磷在所述硅片的表面进行第一次沉积的步骤包括：

在温度为755℃-775℃的情况下通入氧气475sccm、氮气400sccm和三氯氧磷340mg/min以在所述硅片的表面进行沉积，沉积时间为3.5min；

继续升温并进行再次沉积，沉积时间为3min。

7.根据权利要求1所述的硅片扩散方法，其特征在于，在所述将硅片置于扩散炉中并进行加热抽真空处理的步骤之后，所述通入氧气、氮气和三氯氧磷在所述硅片的表面进行第一次沉积的步骤之前，所述硅片扩散方法还包括步骤：

通入氧气1000sccm-1200sccm和氮气3slm对所述硅片进行预氧化处理。

8.一种太阳能电池片，其特征在于，包括由权利要求1-7任一项所述硅片扩散方法制成的硅片。

9.一种电池组件，其特征在于，包括多个权利要求8所述的太阳能电池片。

10.一种光伏系统，其特征在于，包括权利要求9所述的电池组件。