[发明专利]基于体内曲率扩展的LDMOS结构及制造方法在审
| 申请号： | 202210761867.3 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115084230A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 章文通;刘雨婷;吴凌颖 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于体内曲率扩展的LDMOS结构及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第二导电类型漂移区、第一导电类型阱区、通过刻槽后离子注入并高温推结形成的第一导电类型埋层和第二导电类型埋层、位于器件表面的多晶硅栅电极，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层，第一导电类型埋层和第二导电类型埋层位于衬底内，所刻槽采用介质填充；本发明通过在衬底内引入第一导电类型埋层与第二导电类型埋层，在器件体内形成更大曲率，优化了器件体内电场分布，能够实现缩短漂移区距离，解决器件的横向耐压问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 体内 曲率 扩展 ldmos 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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