[发明专利]闪存器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上形成栅极结构，栅极结构两侧形成有隧穿氧化层及字线，隧穿氧化层覆盖衬底，字线覆盖栅极结构的侧壁及隧穿氧化层的部分顶面；减薄隧穿氧化层的暴露部分；形成第一侧墙，以覆盖字线的部分侧壁及隧穿氧化层的部分顶面，并在字线未被第一侧墙覆盖的表面处形成凹陷；形成具有开口的自对准硅化物阻挡层，以至少暴露栅极结构、字线及第一侧墙。本发明通过减薄隧穿氧化层的厚度，以减少或避免隧穿氧化层在后续刻蚀工艺中受到损伤，通过控制自对准硅化物阻挡层的刻蚀工艺时间减少或避免凹陷内残留氧化物，确保后续形成良好的金属硅化物层，减小闪存器件的接触电阻，提高闪存器件的性能及稳定性。