[发明专利]功率放大器结构及其形成方法、电子设备在审
| 申请号： | 202210760103.2 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN115913153A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 陈文生;叶恩祥;叶子祯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21;H03F1/30;H03F1/02;H03F1/32 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 功率放大器结构包括至少一个功率放大器电路。功率放大器电路包括第一类型的晶体管，第一类型的晶体管与第二类型的晶体管串联连接在相同的电源之间。在非限制性非排他性示例中，n型晶体管与p型晶体管串联连接在Vdd之间。功率放大器结构可以包括配置在差分放大器结构中的两个放大器电路。差分放大器结构包括可操作地并联连接在相同的电源之间的两个放大器电路。本发明的实施例还涉及形成功率放大器结构的方法和电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 功率放大器 结构 及其 形成 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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