[发明专利]功率放大器结构及其形成方法、电子设备

权利要求书

1.一种功率放大器结构，包括：

第一类型的第一晶体管，配置为跨导放大器，所述第一晶体管可操作地连接至第一电源；

第二类型的第二晶体管，配置为电流缓冲放大器，所述第二晶体管在中间节点处可操作地连接至所述第一晶体管；

第一电感器，可操作地连接在所述第一电源和连接节点之间，所述第二晶体管可操作地连接至所述连接节点；以及

第二电感器，可操作地连接在所述中间节点和第二电源之间，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第一电感器串联连接在所述第一电源之间。

2.根据权利要求1所述的功率放大器结构，还包括：

电阻器，可操作地连接在所述第一晶体管的端子和第三电源之间；以及

电容器，可操作地连接至所述第二晶体管的端子。

3.根据权利要求2所述的功率放大器结构，还包括第四电源，所述第四电源可操作地连接至所述第二晶体管的所述端子。

4.根据权利要求1所述的功率放大器结构，其中：

所述第一类型的所述第一晶体管为n型晶体管；

所述第二类型的所述第二晶体管为p型晶体管；

所述第一电源为Vss；并且

所述第二电源为Vdd。

5.根据权利要求1所述的功率放大器结构，其中：

所述第一类型的所述第一晶体管为p型晶体管；

所述第二类型的所述第二晶体管为n型晶体管；

所述第一电源为Vdd；并且

所述第二电源为Vss。

6.根据权利要求1所述的功率放大器结构，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的每个实现为金属氧化物硅晶体管。

7.根据权利要求1所述的功率放大器结构，还包括可操作地连接至所述连接节点的输出信号线。

8.根据权利要求1所述的功率放大器结构，其中，所述第一电感器或所述第二电感器中的至少一个实现为共面波导传输线。

9.一种电子设备，包括：

天线；以及

功率放大器结构，可操作地连接至所述天线，所述功率放大器结构包括：

第一电感器的第一端子和所述第一电感器的第二端子，所述第一电感器的所述第一端子可操作地连接至第一电源，并且所述第一电感器的所述第二端子可操作地连接至连接节点；

第一类型的第一晶体管的第一端子和所述第一类型的所述第一晶体管的第二端子，所述第一类型的所述第一晶体管的所述第一端子可操作地连接至所述连接节点，并且所述第一类型的所述第一晶体管的所述第二端子可操作地连接至中间节点；

第二类型的第二晶体管的第一端子和所述第二类型的所述第二晶体管的第二端子，所述第二类型的所述第二晶体管的所述第一端子可操作地连接至所述中间节点，并且所述第二类型的所述第二晶体管的所述第二端子可操作地连接至所述第一电源；

输出信号线，可操作地连接至所述连接节点；

第二电感器的第一端子和所述第二电感器的第二端子，所述第二电感器的所述第一端子可操作地连接至所述中间节点，并且所述第二电感器的所述第二端子可操作地连接至第二电源；

电容器，可操作地连接至所述第一类型的所述第一晶体管的第三端子；以及

电阻器，可操作地连接至所述第二类型的所述第二晶体管的第三端子，

其中，所述第一类型的所述第一晶体管、所述第二类型的所述第二晶体管和所述第一电感器串联连接在所述第一电源之间。

10.一种形成功率放大器结构的方法，包括：

在第一晶体管的栅极端子处接收输入信号，所述第一晶体管为第一类型；

在第二晶体管的栅极端子处接收参考信号，所述第二晶体管为与所述第一类型互补的第二类型；

在所述第一晶体管的第一端子处接收第一电源信号；

在第一电感器的第一端子处接收所述第一电源信号，所述第一电感器的第二端子在连接节点处连接至所述第一晶体管的第二端子；

在第二电感器的第一端子处接收第二电源信号，所述第二电感器具有连接至中间节点的第二端子，其中，所述第一晶体管的所述第二端子连接至所述第二晶体管的第二端子；以及

在所述中间节点处提供输出信号，其中，所述输出信号大于所述输入信号。