[发明专利]集成高速续流二极管的沟槽碳化硅MOSFET及制备方法有效
| 申请号： | 202210755222.9 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN114823911B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 顾航;高巍;戴茂州 | 申请（专利权）人： | 成都蓉矽半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 610213 四川省成都市中国（四川）自由贸易*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成高速续流二极管的沟槽碳化硅MOSFET及制备方法，属于功率半导体器件技术领域，本发明的MOSFET为沟槽结构，为了解决沟槽底部拐角处的电场集中问题，我们在MOSFET旁边加入了沟槽型的栅控二极管，并且沟槽底部均加入了P型埋层，借此削弱彼此的电场强度。此外，栅控二极管与器件原有的体二极管并联，大幅度降低了体二极管的导通压降，从而降低了反向续流工作模式下的损耗。另外，栅控二极管为单极型器件不存在少子存储效应，可以完全消除体二极管的反向恢复电流，从而降低动态损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 高速 二极管 沟槽 碳化硅 mosfet 制备 方法 | ||
【主权项】：
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