[发明专利]一种极化调制的双沟道高耐压射频HEMT及其制备方法在审
| 申请号： | 202210748126.1 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN115020491A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 尹以安;吴悠;毛明华 | 申请（专利权）人： | 迪优未来科技（清远）有限公司;华南师大（清远）科技创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 吴松滨 |
| 地址： | 511500 广东省清远市清远高新技术产业开发*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种极化调制的双沟道高耐压射频HEMT及其制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、第一沟道区、第二沟道区以及在所述第二沟道区上依次形成的源极、栅极、漏极，P型GaN埋层位于第二沟道区的GaN层内部；高电子浓度的N型层沿源极和漏极下表面延伸至第一沟道区的GaN层中一定深度。本发明提供的极化调制的双沟道高耐压射频HEMT，通过双沟道结构获得了更高的2DEG浓度，从而大大提高了饱和电流；同时通过P型GaN埋层有效减小了泄漏电流，提高了击穿电压，进一步提升了器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极化 调制 沟道 耐压 射频 hemt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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