[发明专利]垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器在审
| 申请号： | 202210747428.7 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115207774A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 李加伟;严磊 | 申请（专利权）人： | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 215024 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器制备方法，所述垂直腔面发射激光器以（100）晶面GaAs为衬底材料；该制备方法包括：湿法氧化步骤，用于将DBR中的一层或多层高铝层的外圈区域作为目标氧化区域，将其氧化为氧化铝，并在所述一层或多层高铝层的中间区域形成未被氧化的氧化孔；该制备方法还包括：在湿法氧化步骤前的离子注入步骤，用于通过离子注入的方式使得目标氧化区域中的部分区域形成具有离子注入损伤的缺陷区，并基于缺陷区与目标氧化区域中的其他区域之间的湿氧化速率差异，使得经湿法氧化步骤所生成的氧化孔为非圆形的氧化孔。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器。本发明在保证了VCSEL激光器性能的同时，可大幅降低生产成本和芯片切割难度。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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