[发明专利]垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器制备方法，所述垂直腔面发射激光器以（100）晶面GaAs为衬底材料；所述制备方法包括：湿法氧化步骤，用于将DBR中的一层或多层高铝层的外圈区域作为目标氧化区域，将其氧化为氧化铝，并在所述一层或多层高铝层的中间区域形成未被氧化的氧化孔；其特征在于，所述制备方法还包括：在湿法氧化步骤前的离子注入步骤，用于通过离子注入的方式使得目标氧化区域中的部分区域形成具有离子注入损伤的缺陷区，并基于缺陷区与目标氧化区域中的其他区域之间的湿氧化速率差异，使得经湿法氧化步骤所生成的氧化孔为非圆形的氧化孔。

2.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，所述离子注入所使用的掩模材料为光刻胶。

3.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，所述离子注入所使用的掩模布设于圆形主动区平台表面，掩模上设置有至少两个相同形状的离子注入孔。

4.如权利要求3所述垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，所述离子注入孔为椭圆形，其短轴位于所述圆形主动区平台的径向上。

5.如权利要求4所述垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，所述离子注入孔的短轴与长轴之比为0.2～0.9，离子注入孔的中心点至圆形主动区平台表面中心的距离与圆形主动区平台半径之比为0.6～0.9。

6.如权利要求3所述垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，所述离子注入孔在圆形主动区平台表面的周向上均匀分布。

7.如权利要求3所述垂直腔面发射激光器制备方法，其特征在于，所述离子注入孔为圆角的矩形、菱形或三角形。

8.一种垂直腔面发射激光器，具有非圆形的氧化孔，其特征在于，使用如权利要求1～7任一项所述制备方法制备得到。