[发明专利]基于分子束外延的二维层状过渡金属硫化物的制备方法有效
| 申请号： | 202210736263.3 | 申请日： | 2022-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN115323483B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 张昆鹏;李浩浩;马亚中;王静宇;梅一多;王远航;张文萍;葛标 | 申请（专利权）人： | 中关村科学城城市大脑股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/46;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京唯智勤实知识产权代理事务所(普通合伙) 11557 | 代理人： | 孙姣 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开的实施例公开了基于分子束外延的二维层状过渡金属硫化物的制备方法。该方法的一具体实施方式包括：在GaAs衬底上钝化硫原子，以生成S/GaAs衬底；将S/GaAs衬底置入高真空腔进行退火处理，以生成去除浮硫的S/GaAs衬底；在分子束外延生长腔内，通过电子束蒸发源或热蒸发源，在去除浮硫的S/GaAs衬底上进行过渡金属硫化物生长，以生成生长厚度为单原子层的过渡金属硫化物材料。该实施方式可以制备出单原子层的、良好的、全覆盖、均匀的二维层状过渡金属硫化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 分子 外延 二维 层状 过渡 金属 硫化物 制备 方法 | ||
【主权项】：
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