[发明专利]工艺腔热处理过程自清洁系统和方法在审
申请号: | 202210730114.6 | 申请日: | 2022-06-24 |
公开(公告)号: | CN115241087A | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 李岩;林洪辉;许鼎康;倪成昊 | 申请(专利权)人: | 杭州富芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/265 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 丁俊萍 |
地址: | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请提供了一种工艺腔热处理过程自清洁系统和方法,工艺腔热处理过程自清洁系统包括:批次信息获取单元,其从生产执行系统获取待处理批次晶圆的掺杂物质和掺杂浓度;温度监测单元,其从工艺腔的测温探头获取热处理过程中的温度变化数据;自清洁程序执行单元,其连接批次信息获取单元、温度监测单元和工艺腔,根据工艺腔在热处理过程中的温度变化数据判断测温探头是否附着副产物,并根据掺杂物质和掺杂浓度判断是否执行自清洁程序。本申请通过获取待处理批次晶圆的掺杂物质和浓度,判断是否控制工艺腔执行自清洁程序,并通过监测热过程及假片工艺过程中的温度变化数据评估自清洁程序的清洁效果。 | ||
搜索关键词: | 工艺 热处理 过程 清洁 系统 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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