[发明专利]一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜

摘要

本申请适用半导体材料技术领域，提供了二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜，包括：将硫源和钼源置于加热装置内，于常压条件下保持10‑50sccm的惰性气体流量，分别对硫源和钼源进行加热处理2‑20min以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，硫源放置于刚玉舟内；钼源放置于石英舟上且在石英舟内放置惰性耐高温垫片，并在垫片上方放置玻璃基底。本申请采用惰性耐高温材质作为垫片辅助玻璃衬底生长单晶体二硫化钼或者大尺寸二硫化钼连续膜，能够杜绝多余钼源供给及其他的杂质引入，能极大减小干扰因素，其良好的亲水性亦能极大地铺展熔融玻璃，提高化学气相沉积反应，能够实现高质量大单晶低成本二硫化钼半导体薄膜制备。