[发明专利]晶片电阻的内电极缺陷检测结构以及缺陷电阻的筛选方法在审
| 申请号： | 202210725787.2 | 申请日： | 2022-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN115121506A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 张琦;胡新明 | 申请（专利权）人： | 国巨电子（中国）有限公司 |
| 主分类号： | B07C5/344 | 分类号： | B07C5/344;B07C5/02;B07C5/34 |
| 代理公司： | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 215011 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片电阻的内电极缺陷检测结构以及缺陷电阻的筛选方法，内电极缺陷检测结构包括容置槽和设置在容置槽内的导电结构，容置槽设置在晶片电阻外侧的保护层上，容置槽依次贯穿晶片电阻的若干个保护层至电阻层，两个内电极均暴露于所述容置槽内，导电结构分别与两个内电极连接。本发明通过在内电极有缺陷的晶片电阻上设置容置槽，并在容置槽内填充导电材料使两个内电极之间导通，进而改变有缺陷晶片电阻的外观和阻值，便于后期可通过外观检测或者阻值测量来筛选出内电极有缺陷晶片电阻；避免了人工浪费以及人工剔除带来的漏剔除风险，提高产品质量，同时还避免了一整片或一整条剔除方式带来的良率损失和资源浪费，节省生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 电阻 电极 缺陷 检测 结构 以及 筛选 方法 | ||
【主权项】：
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