[发明专利]晶片电阻的内电极缺陷检测结构以及缺陷电阻的筛选方法

权利要求书

1.一种晶片电阻的内电极缺陷检测结构，晶片电阻包括基板(1)、间隔设置在所述基板(1)一侧的两个内电极(3)、依次堆叠覆盖在两个所述内电极(3)之间的电阻层(4)和若干个保护层、以及设置在所述内电极(3)远离所述基板(1)一侧的辅助电极(7)，其特征在于，内电极缺陷检测结构包括容置槽(10)和设置在所述容置槽(10)内的导电结构(11)，所述容置槽(10)设置在外侧的保护层上，所述容置槽(10)依次贯穿若干个所述保护层至所述电阻层(4)，两个所述内电极(3)均暴露于所述容置槽(10)内，所述导电结构(11)分别与两个所述内电极(3)连接。

2.根据权利要求1所述的晶片电阻的内电极缺陷检测结构，其特征在于，所述容置槽(10)为长条形，所述容置槽(10)长度方向的一端延伸至一个所述内电极(3)，所述容置槽(10)长度方向的另一端延伸至另一个所述内电极(3)。

3.根据权利要求2所述的晶片电阻的内电极缺陷检测结构，其特征在于，所述容置槽(10)的长度方向与所述内电极(3)的分布方向一致；或

所述容置槽(10)的长度方向与所述内电极(3)的分布方向之间具有设定角度。

4.根据权利要求2所述的晶片电阻的内电极缺陷检测结构，其特征在于，所述容置槽(10)为曲线长条形、折线长条形、直线长条形或两种以上前述形状的组合。

5.根据权利要求1所述的晶片电阻的内电极缺陷检测结构，其特征在于，所述导电结构(11)包括镍层和锡层。

6.一种缺陷电阻的筛选方法，其特征在于，其包括如下步骤：

对印刷好保护层的晶片电阻版片进行自动光学检测，检测所述晶片电阻版片上每个晶片电阻的内电极(3)是否存在缺陷；

在存在缺陷的所述晶片电阻上设置如权利要求1-5中任一所述的缺陷检测结构；

对所有晶片电阻进行外观检测或阻值测量，筛选出设置有缺陷检测结构的内电极(3)具有缺陷的晶片电阻。

7.根据权利要求1所述的缺陷电阻的筛选方法，其特征在于，在所述晶片电阻上设置缺陷检测结构时，先在晶片电阻版片上印刷好保护层的缺陷晶片电阻上切割容置槽(10)，使缺陷晶片电阻上的两个内电极(3)暴露于所述容置槽(10)内；

然后在对折粒后的晶片电阻进行电镀沉积形成镍层和锡层时，在所述容置槽(10)内沉积形成导电结构(11)，且所述导电结构(11)分别与两个内电极(3)连接。