[发明专利]晶片电阻的内电极缺陷检测结构以及缺陷电阻的筛选方法

说明书

本发明公开了一种晶片电阻的内电极缺陷检测结构以及缺陷电阻的筛选方法，内电极缺陷检测结构包括容置槽和设置在容置槽内的导电结构，容置槽设置在晶片电阻外侧的保护层上，容置槽依次贯穿晶片电阻的若干个保护层至电阻层，两个内电极均暴露于所述容置槽内，导电结构分别与两个内电极连接。本发明通过在内电极有缺陷的晶片电阻上设置容置槽，并在容置槽内填充导电材料使两个内电极之间导通，进而改变有缺陷晶片电阻的外观和阻值，便于后期可通过外观检测或者阻值测量来筛选出内电极有缺陷晶片电阻；避免了人工浪费以及人工剔除带来的漏剔除风险，提高产品质量，同时还避免了一整片或一整条剔除方式带来的良率损失和资源浪费，节省生产成本。

技术领域

本发明涉及晶片电阻技术领域，尤其涉及一种具有辅助电极的晶片电阻的内电极缺陷检测结构以及缺陷电阻的筛选方法。

背景技术

有辅助电极的晶片电阻，比如专利CN211788403U中公开的抗硫化晶片电阻器，其由基板1、背面电极2、内电极3(正面电极)、电阻层4、第一保护层5、第二保护层6、辅助电极7、真空镀膜层8和电镀层9构成，如图1所示。其在制备时需要在一基板上制作多个晶片电阻，之后再经过折条和折粒后获得单粒晶片电阻。具体制备过程主要为印刷制备背面电极2、印刷制备内电极3、印刷制备电阻层4、印刷制备第一保护层5、阻值修整、印刷制备第二保护层6、印刷制备辅助电极7、印刷制备字码、折条、制备侧面真空镀膜层8、折粒以及电镀沉积镍锡层。由于辅助电极7的覆盖，无法在排条站前针对内电极3缺陷进行有效识别，一般是需要前置检测，比如在印刷制备内电极3后，采用人工或者检测设备对晶片电阻版片上各个晶片电阻的内电极3进行检测，筛选并剔除带有缺陷内电极3的整个晶片电阻版片或者整条晶片电阻条片。这种一整片或一整条的剔除方式将会带来较大良率损失，且会造成浪费，不利于控制生产成本，同时还会造成人工浪费，并存在人为失误导致漏剔除等风险，影响产品质量。

因此，结合上述存在的技术问题，有必要提出一种新的技术方案。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶片电阻的内电极缺陷检测结构以及缺陷电阻的筛选方法，通过在内电极有缺陷的晶片电阻上设置容置槽，并在容置槽内填充导电材料使两个内电极之间导通，进而改变有缺陷晶片电阻的外观和阻值，便于后期可通过外观检测或者阻值测量来筛选出内电极有缺陷晶片电阻。

为实现发明目的，本发明提供一种晶片电阻的内电极缺陷检测结构，晶片电阻包括基板、间隔设置在所述基板一侧的两个内电极、依次堆叠覆盖在两个所述内电极之间的电阻层和若干个保护层、以及设置在所述内电极远离所述基板一侧的辅助电极，内电极缺陷检测结构包括容置槽和设置在所述容置槽内的导电结构，所述容置槽设置在外侧的保护层上，所述容置槽依次贯穿若干个所述保护层至所述电阻层，两个所述内电极均暴露于所述容置槽内，所述导电结构分别与两个所述内电极连接。

进一步的，所述容置槽为长条形，所述容置槽长度方向的一端延伸至一个所述内电极，所述容置槽长度方向的另一端延伸至另一个所述内电极。

进一步的，所述容置槽的长度方向与所述内电极的分布方向一致；或所述容置槽的长度方向与所述内电极的分布方向之间具有设定角度。

进一步的，所述容置槽为曲线长条形、折线长条形、直线长条形或两种以上前述形状的组合。

进一步的，所述导电结构包括镍层和锡层。

本发明还提供了一种缺陷电阻的筛选方法，其包括如下步骤：

对印刷好保护层的晶片电阻版片进行自动光学检测，检测所述晶片电阻版片上每个晶片电阻的内电极是否存在缺陷；在存在缺陷的所述晶片电阻上设置上述的缺陷检测结构；对所有晶片电阻进行外观测或阻值测量，筛选出设置有缺陷检测结构的内电极具有缺陷的晶片电阻。