[发明专利]用于SiC和IGBT功率器件控制去饱和或短路故障的栅极驱动控制系统在审
| 申请号： | 202210716415.3 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN115149933A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 艾伯特·J·沙尔庞捷;艾伦·K·史密斯;尼泰什·萨特什;罗宾·韦伯 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H03K17/04 | 分类号： | H03K17/04;H03K17/042;H03K17/16;H03K21/08;H03K3/012;H03K5/24 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 龚伟;王玉瑾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于SiC和IGBT功率器件控制去饱和或短路故障的栅极驱动控制系统。用于功率半导体器件的栅极驱动控制器包括：主控制单元(MCU)；以及一个或多个比较器，一个或多个比较器将功率半导体器件的输出信号与由MCU生成的参考值进行比较。MCU响应于关断触发信号而生成用于功率半导体器件的第一中间驱动信号，并且当DSAT信号指示功率半导体器件正在经历去饱和时生成不同于第一驱动信号的第二中间驱动信号。当一个或多个比较器的输出信号指示功率半导体器件的输出信号已经相对于参考值而改变时，MCU生成用于功率半导体的最终驱动信号。控制器还可以包括定时器，当一个或多个比较器不指示变化时，定时器使驱动信号以预定间隔改变。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sic igbt 功率 器件 控制 饱和 短路 故障 栅极 驱动 控制系统 | ||
【主权项】：
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