[发明专利]一种高压晶体管的终端结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210699354.4 | 申请日： | 2022-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN114899222A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 李照;侯斌;杨晓文;赵帆;卢泽宇;程鹏刚;胡长青;刘威;臧继超 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/732;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710000 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压晶体管的终端结构及其制作方法，包括衬底；衬底上表面设置有外延层；外延层上光刻后进行离子注入形成基极区域；在基极区域上光刻后进行离子注入形成浓基区环；在基区上光刻后进行离子注入形成发射极区域；在基极区域和发射极区域淀积金属形成基极和发射极，在基极区域边缘设置金属场板形成场板结构；浓基区环和场板结构形成复合终端结构；衬底下表面设置有集电极。相对于常规晶体管结构，可以显著提高器件耐压及降低器件的反向漏电流。场板主要通过改变晶体管表面电势分布，使其曲面结的曲率半径增大，抑制表面电场的集中，从而提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 晶体管 终端 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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