[发明专利]一种高压晶体管的终端结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210699354.4 | 申请日： | 2022-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN114899222A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 李照;侯斌;杨晓文;赵帆;卢泽宇;程鹏刚;胡长青;刘威;臧继超 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/732;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710000 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 晶体管 终端 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种高压晶体管的终端结构，其特征在于，包括衬底；
所述衬底上表面设置有外延层；外延层上光刻后进行离子注入形成基极区域；在基极区域上光刻后进行离子注入形成浓基区环；在基区上光刻后进行离子注入形成发射极区域；
在基极区域和发射极区域淀积金属形成基极和发射极，在基极区域边缘设置金属场板形成场板结构；浓基区环和场板结构形成复合终端结构；
所述衬底下表面设置有集电极。
2.根据权利要求1所述的一种高压晶体管的终端结构，其特征在于，所述浓基区环的扩区深度为1～2μm。
3.根据权利要求1所述的一种高压晶体管的终端结构，其特征在于，所述浓基区环与基极区域重叠部分宽度范围为10～30μm。
4.根据权利要求1所述的一种高压晶体管的终端结构，其特征在于，所述浓基区环对基极区域边缘的覆盖范围为20～40μm。
5.根据权利要求1所述的一种高压晶体管的终端结构，其特征在于，所述浓基区环的结深为0.5～1.5μm。
6.根据权利要求1所述的一种高压晶体管的终端结构，其特征在于，所述场板结构在浓基区环的覆盖范围为20～70μm。
7.一种高压晶体管的终端结构的制作方法，其特征在于，包括以下过程，
在衬底上的外延层光刻出基极区域，通过注入离子形成基区，再光刻出浓基区环区域，在浓基区环区域通过注入离子形成浓基区环；
在基区光刻出发射极区域，通过注入离子形成发射区；
通过光刻孔在基极区域和发射极区域分别形成基极欧姆孔和发射极欧姆孔，随后在正面淀积金属，再通过光刻金属，使金属与基极欧姆孔和发射极欧姆孔形成欧姆接触，分别形成基极和发射极，在基极区域边缘形成金属场板和浓基区环构成复合终端结构；
在衬底背面进行金属化形成集电极。
8.根据权利要求7所述的一种高压晶体管的终端结构的制作方法，其特征在于，基区的扩区深度范围为4～8μm。
9.根据权利要求7所述的一种高压晶体管的终端结构的制作方法，其特征在于，浓基区环的扩区深度范围为1～2μm。
10.根据权利要求7所述的一种高压晶体管的终端结构的制作方法，其特征在于，发射区的扩区深度范围为2～4μm。
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