[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和包含形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法的方法在审
| 申请号： | 202210696760.5 | 申请日： | 2022-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN115589727A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | J·D·霍普金斯;A·N·斯卡伯勒 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35;H10B41/50;H10B43/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种包括存储器单元串的存储器阵列和包含用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法的方法。所述方法包括：形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，所述竖直交替的第一层和第二层包括横向间隔开的存储器块区，在所述横向间隔开的存储器块区之间具有水平延长的沟槽。所述第一层中的两个第一层相对彼此具有不同竖直厚度。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述第一层和所述第二层。通过所述水平延长的沟槽，第一导电材料形成在所述两个第一层中的空隙空间中。所述第一导电材料填充所述两个第一层中的在所述存储器块区中的个别存储器块区中具有所述不同竖直厚度中的较小竖直厚度的所述第一层。所述第一导电材料不完全填充所述两个第一层中的在所述个别存储器块区中具有所述不同竖直厚度中的较大竖直厚度的所述第一层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 存储器 单元 阵列 包含 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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