[发明专利]一种基于SiC MOSFET并联均流的控制电路在审
| 申请号： | 202210692643.1 | 申请日： | 2022-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN115037129A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 李贺龙;韩亮亮;张满;于浪浪;王澳;赵爽;杨之青;丁立建 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H02M1/088 | 分类号： | H02M1/088;H02M3/158 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 陆丽莉;何梅生 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SiC MOSFET并联均流的控制电路，包括：功率电路、驱动电路和驱动供电电路，其中，功率电路由直流母线侧电路和SiC MOSFET并联器件电路组成；驱动电路分为两部分完全相同的支路A驱动电路和支路B驱动电路；驱动电路是由信号输入侧、隔离型门极驱动器和输出侧三部分组成；驱动供电电路由电源Vd发生电路和驱动供电主电路组成。本发明能使并联器件开关速度更快，减少漏极电流不均衡度，并能扩大电流容量以达到设计要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sic mosfet 并联 控制电路 | ||
【主权项】：
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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