[发明专利]光敏传感器以及对应的制造方法在审
| 申请号： | 202210681758.0 | 申请日： | 2022-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN115483306A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | F·罗伊 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的各实施例涉及光敏传感器以及对应的制造方法。一种光敏传感器，包括像素，该像素由光敏区、读取区、以及传送栅极形成，光敏区在第一半导体材料中，读取区在第二半导体材料中，传送栅极面向第一半导体材料和第二半导体材料的位于光敏区与读取区之间的部分。第一半导体材料和第二半导体材料具有不同带隙，并且彼此接触以形成面向传送栅极的异质结。 | ||
| 搜索关键词： | 光敏 传感器 以及 对应 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
