[发明专利]一种用于pnp双极晶体管热阻测量的基极电流电路在审
申请号: | 202210673247.4 | 申请日: | 2022-06-15 |
公开(公告)号: | CN115078947A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 冯士维;白昆;冯志红;李轩;潘世杰 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于pnp双极晶体管热阻测量的基极电流电路属于半导体器件热设计和测试领域。本发明电路包括运放芯片、N沟道MOS管、二极管D1和二极管D2。该电路可以通过简单的电路连接,集成于即成的具备负测试电流和正加热电源的热阻测试系统中,使该系统扩展出pnp双极晶体管的热阻测量功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 pnp 双极晶体管 测量 基极 电流 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210673247.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高衬度低剂量相位衬度CT成像设备
- 下一篇:超宽带模拟复相关器及方法