[发明专利]一种用于pnp双极晶体管热阻测量的基极电流电路

权利要求书

1.一种用于pnp双极晶体管热阻测量的基极电流电路，其特征在于：

由运放芯片、N沟道MOS管、二极管D1、二极管D2构成；运放芯片的输出通过串联电阻R1连接到N沟道MOS管的栅极；N沟道MOS管的源极连接到二极管D1的阳极；二极管D1的阴极连接到二极管D2的阴极；运放的反相输入端连接到电阻R2的一端；电阻R2的另一端连接到二极管D1的阴极；N沟道MOS管的漏极为输出端；二极管D2的阳极连接到电阻R3的一端，并引出作为接地端；电阻R3的另一端连接到运放的正相输入端；电容C1的两端分别连接到电阻R2两端；电容C2的两端分别连接到电阻R3两端；二极管D1的正向压降高于二极管D2的正向压降，或二极管D1为串联的多只二极管且总正向压降高于二极管D2的正向压降；运放芯片的负供电电位低于接地端电位；运放芯片的正供电电位高于接地端电位与二极管D1总正向压降与N沟道MOS管阈值电压三者之和；二极管D1的阴极连接到电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接到电源。

2.利用如权利要求1所述的基极电流电路测量pnp双极晶体管热阻时的电路，其特征在于：

pnp双极晶体管的发射极通过开关连接到加热电源，所述的基极电流电路的输出端连接到pnp双极晶体管的基极，测试电流源连接到pnp双极晶体管的基极，pnp双极晶体管的集电极连接到所述的基极电流电路的接地端。

3.利用如权利要求2所述的测量pnp双极晶体管热阻时的电路，其特征在于：

测量热阻时，被测器件即pnp双极晶体管被放置于恒温平台上，关断加热电源，测试电流加载在被测器件的集电结，运放负反馈被破坏，N沟道MOS管被关断；开通加热电源，运放负反馈建立，二极管D1的阳极被恒定为接地端电压，并由N沟道MOS管分压，给被测器件的基极提供电流；加热结束后，关断加热电源，N沟道MOS管即随之关断，测试电流加载在被测器件的集电结，由此得到集电结在关断功率后再该测试电流下的电压变化曲线，结合温度系数及结构函数方法，即可提取被测器件的热阻。