[发明专利]一种高纯度氟化镁晶体材料的制备方法有效
| 申请号： | 202210668707.4 | 申请日： | 2022-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN115012037B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 侯闽渤 | 申请（专利权）人： | 广德特旺光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B7/14;C30B28/04;C01F5/28 |
| 代理公司： | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人： | 余婧 |
| 地址： | 242200 安徽省宣城市广*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯度氟化镁晶体材料的制备方法，将菱镁矿粉先经过高温煅烧得到轻烧矿粉，然后用质量浓度为15‑20％的氯化铵溶液加热处理，得到含镁钙离子的浸出液，将其与表面活性剂混合均匀后用氨水沉淀，得到的滤渣再用质量浓度为5‑8％的氯化铵溶液处理除去钙离子，经过高温煅烧后，得到的粉体与适量水混合均匀，然后加入氢氟酸反应得到高纯度氟化镁晶体材料。本发明的制备工艺简单，制得的氟化镁晶体材料具有高纯度，能够符合光学镀膜用材料的性能要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 氟化 晶体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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