[发明专利]具有连接至栅极金属化部的二极管链的半导体器件在审

申请号：	202210663220.7	申请日：	2022-06-13
公开（公告）号：	CN115483209A	公开（公告）日：	2022-12-16
发明（设计）人：	约阿希姆·魏尔斯;安东·毛德;拉尔夫·西明耶克;曾光	申请（专利权）人：	英飞凌科技股份有限公司
主分类号：	H01L27/06	分类号：	H01L27/06;H01L29/739;H01L29/78
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	康建峰;谢琳
地址：	德国瑙伊***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	一种半导体器件(500)包括具有第一导电类型的源极区(110)和栅电极(155)的晶体管单元(TC)。源极区(110)形成在宽带隙半导体部分(100)中。二极管链(DC)包括多个二极管结构(DS)。二极管结构(DS)被形成在宽带隙半导体部分(100)中并且串联电连接。每个二极管结构(DS)包括具有第一导电类型的阴极区(180)和具有互补的第二导电类型的阳极区(190)。栅极金属化部(330)与栅电极(155)以及与二极管链(DC)的阳极区中的第一个阳极区(190)电连接。源电极结构(310)与源极区(110)电连接并且与二极管链(DC)的阴极区中的最后一个阴极区(180)电连接。
搜索关键词：	具有连接栅极金属化二极管半导体器件
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