[发明专利]电阻变化型非易失性存储器在审
| 申请号： | 202210661443.X | 申请日： | 2022-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN116761504A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 千葉智贵;高岛大三郎;滋贺秀裕 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00;H10B63/10;H10N50/10;H10N50/85;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够使流通于电阻变化型存储元件的电流适当化的电阻变化型非易失性存储器。本发明的实施方式的电阻变化型非易失性存储器具备存储器单元，所述存储器单元具备：半导体衬底；第1电极线，在与半导体衬底正交的第1方向延伸；第2电极线，在与第1方向正交的第2方向上隔着绝缘膜相邻，并在第1方向延伸；电阻变化膜，在第1方向延伸，并与所述第1电极线相接；半导体膜，在第1方向延伸，与电阻变化膜相接并且与绝缘膜及第2电极线相接；电阻层，配置于半导体膜与电阻变化膜之间，电阻值低于电阻变化膜；第1绝缘体膜，在第1方向延伸，与半导体膜相接；及第1电位施加电极，在第2方向延伸，与第1绝缘体膜相接。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 变化 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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