[发明专利]一种纳秒级体负阻效应的微型半导体短路开关在审
| 申请号： | 202210660812.3 | 申请日： | 2022-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN114914359A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 周浩楠;张良;李宋;张亚婷 | 申请（专利权）人： | 北京智芯传感科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L47/00 | 分类号： | H01L47/00;H03K17/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100190 北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳秒级体负阻效应的微型半导体短路开关。所述短路开关包括：电场加载层、导通层、绝缘层、开关控制层、隔离层和衬底。所述导通层和电场加载层位于所述短路开关最顶层，起电气连接作用；下一层为所述绝缘层，为隔绝导通层与开关控制层的电气连接，保证所述开关的绝缘电阻；所述开关控制层与电场加载层的连接，在一定电场加载条件下，通过体负阻效应实现短路开关纳秒级由通到断的转变；所述隔离层介于所述开关控制层和基底之间，起电气隔离作用，同时能抑制衬底的脉冲电流干扰，增加安全性；所述衬底为短路开关图形化的支撑载体。本发明短路开关通过体负阻效应可以实现纳秒级的电路开关控制，且整体尺寸、质量微小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳秒级体负阻 效应 微型 半导体 短路 开关 | ||
【主权项】：
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