[发明专利]低电容TVS器件结构及制作方法在审
| 申请号： | 202210653127.8 | 申请日： | 2022-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN115000182A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 黄平;鲍利华;顾海颖 | 申请（专利权）人： | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/41;H01L23/48;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201401 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种低电容TVS结构，包括低电容二极管D1和低击穿电压TVS二极管D2，其低电容的二极管D1成型于一晶圆；低电容二极管D1中的P+区域成型在晶圆的正面；低击穿电压TVS二极管D2中的N型掺杂多晶硅柱设置在晶圆中；通过晶圆背面研磨和干法刻蚀的方法使N型掺杂多晶硅柱穿透出晶圆的背面；在晶圆的背面蒸发或溅射重掺杂P+型Ge层或者P+型Si层；低击穿电压TVS二极管D2中的多晶硅柱延伸至所述蒸发或溅射制备的重掺杂P+型Ge层或者P+型Si层中；晶圆是高阻N型单晶片。本发明还公开了该低电容TVS结构的制作方法。本发明用高阻单晶片来代替高阻外延片，完全消除高难度的外延问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 tvs 器件 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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