[发明专利]一种基于GaAs Bi-HEMT工艺的可重构宽带放大器有效
| 申请号： | 202210637625.3 | 申请日： | 2022-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN114710126B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 叶珍;童伟;邬海峰;王测天;刘莹;滑育楠;廖学介 | 申请（专利权）人： | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F1/42 | 分类号： | H03F1/42;H03F1/56;H03F1/30;H03F1/32;H03F1/26;H03F3/60 |
| 代理公司： | 西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 61271 | 代理人： | 陈选中 |
| 地址： | 610200 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GaAs Bi‑HEMT工艺的可重构宽带放大器，属于集成电路技术领域，包括频段可选输入匹配网络、自适应偏置馈电网络、PD控制单元和新型分布式放大网络。本发明采用了Bi‑HEMT工艺，该工艺在单片内集成了HBT和pHEMT，从而实现了最优化的芯片性能；其次，本发明电路具有可重构特性，实现了多频段可选和可动态控制电路的电性能，并可同时实现超宽带、高增益、高线性、高输出功率、较低功耗和较低噪声的特性，且具有很好的电路可靠性；最后，本发明电路具有温度稳定和自适应线性化特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gaas bi hemt 工艺 可重构 宽带 放大器 | ||
【主权项】：
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