[发明专利]一种基于GaAs Bi-HEMT工艺的可重构宽带放大器

权利要求书

1.一种基于GaAs Bi-HEMT工艺的可重构宽带放大器，其特征在于，包括频段可选输入匹配网络、自适应偏置馈电网络、PD控制单元和新型分布式放大网络；

所述频段可选输入匹配网络作为可重构宽带放大器的输入端，其输出端与新型分布式放大网络的第一输入端连接；

所述新型分布式放大网络的输出端作为可重构宽带放大器的输出端；

所述自适应偏置馈电网络的第一输出端与PD控制单元的输入端连接，其第二输出端与新型分布式放大网络的第二输入端连接；

所述PD控制单元的第一输出端与新型分布式放大网络的第三输入端连接；所述PD控制单元的第二输出端与新型分布式放大网络的第四输入端连接；所述PD控制单元的第三输出端与新型分布式放大网络的第五输入端连接；

所述频段可选输入匹配网络包括电阻R15、电阻R16、电阻R17、电容C1、电容C32、电容C33、电感L30、电感L31、接地电感L32、接地电感L33、接地电感L34、微带线TL1、微带线TL2、开关管M7、开关管M8和开关管M9；

所述电容C1的一端作为频段可选输入匹配网络的输入端，其另一端和微带线TL1的一端连接；所述微带线TL1的另一端分别与开关管M7的漏极、电感L30的一端和电容C32的一端连接；所述开关管M7的栅极和电阻R15的一端连接；所述电阻R15的另一端和控制电压Vfcon1连接；所述开关管M7的源极和接地电感L32连接；所述电感L30的另一端分别与电容C32的另一端、电感L31的一端、电容C33的一端和开关管M8的漏极连接；所述开关管M8的栅极和电阻R16的一端连接；所述电阻R16的另一端和控制电压Vfcon2连接；所述开关管M8的源极和接地电感L33连接；所述电感L31的另一端分别与电容C33的另一端、微带线TL2的一端和开关管M9的漏极连接；所述开关管M9的栅极和电阻R17的一端连接；所述电阻R17的另一端和控制电压Vfcon3连接；所述开关管M9的源极和接地电感L34连接；所述微带线TL2的另一端作为频段可选输入匹配网络的输出端；

所述自适应偏置馈电网络包括电阻R9、电阻R11、接地电阻R12、电阻R13、电阻R14、接地电容C27、电容C28、接地电容C30、电感L29、三极管H13、三极管H14和三极管H15；

所述三极管H13的基极分别与电阻R11的一端、三极管H14的集电极、电阻R13的一端和接地电容C27连接；所述三极管H13的发射极分别与电容C28的一端和电阻R14的一端连接；所述电容C28的另一端作为自适应偏置馈电网络的第一输出端，并与电阻R14的另一端连接；所述三极管H13的集电极分别与电阻R11的另一端、电阻R9的一端、电感L29的一端和电源馈电VD连接；所述电阻R9的另一端和接地电容C30连接；所述三极管H14的基极和电阻R13的另一端连接；所述三极管H14的发射极分别与三极管H15的基极和三极管H15的集电极连接；所述三极管H15的发射极和接地电阻R12连接；所述电感L29的另一端作为自适应偏置馈电网络的第二输出端；

所述新型分布式放大网络包括接地电阻R1、接地电阻R2、接地电阻R3、接地电阻R4、接地电阻R5、接地电阻R6、接地电阻R7、电阻R8、电阻R10、接地电容C2、接地电容C3、接地电容C4、接地电容C5、接地电容C6、接地电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电容C13、接地电容C14、接地电容C15、接地电容C16、接地电容C17、接地电容C18、接地电容C19、接地电容C20、接地电容C21、接地电容C22、接地电容C23、接地电容C24、接地电容C25、接地电容C26、接地电容C29、电容C31、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8、电感L9、电感L10、电感L11、电感L12、电感L13、电感L14、电感L15、电感L16、电感L17、电感L18、电感L19、电感L20、电感L21、电感L22、电感L23、电感L24、电感L25、电感L26、电感L27、电感L28、微带线TL3、微带线TL4、微带线TL5、微带线TL6、微带线TL7、场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3、场效应管M4、场效应管M5、场效应管M6、三极管H1、三极管H2、三极管H3、三极管H4、三极管H5、三极管H6、三极管H7、三极管H8、三极管H9、三极管H10、三极管H11和三极管H12；

所述场效应管M1的栅极作为新型分布式放大网络的第一输入端，并与电感L1的一端连接；所述场效应管M1的源极分别与接地电容C2和接地电阻R1连接；所述场效应管M1的漏极分别与电容C8的一端和电感L6的一端连接；所述电容C8的另一端作为新型分布式放大网络的第三输入端，并分别与微带线TL3的一端、三极管H1的基极和三极管H2的基极连接；所述三极管H2的集电极分别与电感L12的一端和三极管H1的集电极连接；所述三极管H1的发射极分别与三极管H2的发射极、电感L6的另一端和接地电容C14连接；所述电感L12的另一端分别与电感L18的一端、电感L24的一端和微带线TL6的一端连接；所述电感L18的另一端和接地电容C21连接；所述微带线TL6的另一端作为新型分布式放大网络的第二输入端，并与电阻R10的一端连接；所述电阻R10的另一端和接地电容C29连接；

所述场效应管M2的栅极分别与电感L1的另一端和电感L2的一端连接；所述场效应管M2的源极分别与接地电容C3和接地电阻R2连接；所述场效应管M2的漏极分别与电容C9的一端和电感L7的一端连接；所述电容C9的另一端分别与微带线TL3的另一端、三极管H3的基极和三极管H4的基极连接；所述三极管H4的集电极分别与电感L13的一端和三极管H3的集电极连接；所述三极管H3的发射极分别与三极管H4的发射极、电感L7的另一端和接地电容C15连接；所述电感L13的另一端分别与电感L19的一端、电感L24的另一端和电感L25的一端连接；所述电感L19的另一端和接地电容C22连接；

所述场效应管M3的栅极分别与电感L2的另一端和电感L3的一端连接；所述场效应管M3的源极分别与接地电容C4和接地电阻R3连接；所述场效应管M3的漏极分别与电容C10的一端和电感L8的一端连接；所述电容C10的另一端作为新型分布式放大网络的第四输入端，并分别与微带线TL4的一端、三极管H5的基极和三极管H6的基极连接；所述三极管H6的集电极分别与电感L14的一端和三极管H5的集电极连接；所述三极管H5的发射极分别与三极管H6的发射极、电感L8的另一端和接地电容C16连接；所述电感L14的另一端分别与电感L20的一端、电感L25的另一端和电感L26的一端连接；所述电感L20的另一端和接地电容C23连接；

所述场效应管M4的栅极分别与电感L3的另一端和电感L4的一端连接；所述场效应管M4的源极分别与接地电容C5和接地电阻R4连接；所述场效应管M4的漏极分别与电容C11的一端和电感L9的一端连接；所述电容C11的另一端分别与微带线TL4的另一端、三极管H7的基极和三极管H8的基极连接；所述三极管H8的集电极分别与电感L15的一端和三极管H7的集电极连接；所述三极管H7的发射极分别与三极管H8的发射极、电感L9的另一端和接地电容C17连接；所述电感L15的另一端分别与电感L21的一端、电感L26的另一端和电感L27的一端连接；所述电感L21的另一端和接地电容C24连接；

所述场效应管M5的栅极分别与电感L4的另一端和电感L5的一端连接；所述场效应管M5的源极分别与接地电容C6和接地电阻R5连接；所述场效应管M5的漏极分别与电容C12的一端和电感L10的一端连接；所述电容C12的另一端作为新型分布式放大网络的第五输入端，并分别与微带线TL5的一端、三极管H9的基极和三极管H10的基极连接；所述三极管H10的集电极分别与电感L16的一端和三极管H9的集电极连接；所述三极管H9的发射极分别与三极管H10的发射极、电感L10的另一端和接地电容C18连接；所述电感L16的另一端分别与电感L22的一端、电感L27的另一端和电感L28的一端连接；所述电感L22的另一端和接地电容C25连接；

所述场效应管M6的栅极分别与电感L5的另一端、接地电阻R7和电阻R8的一端连接；所述电阻R8的另一端和接地电容C20连接；所述场效应管M6的源极分别与接地电容C7和接地电阻R6连接；所述场效应管M6的漏极分别与电容C13的一端和电感L11的一端连接；所述电容C13的另一端分别与微带线TL5的另一端、三极管H11的基极和三极管H12的基极连接；所述三极管H12的集电极分别与电感L17的一端和三极管H11的集电极连接；所述三极管H11的发射极分别与三极管H12的发射极、电感L11的另一端和接地电容C19连接；所述电感L17的另一端分别与电感L23的一端、电感L28的另一端和微带线TL7的一端连接；所述电感L23的另一端和接地电容C26连接；所述微带线TL7的另一端和电容C31的一端连接；所述电容C31的另一端作为新型分布式放大网络的输出端。