[发明专利]一种单晶硅锭的制造方法及单晶硅培育装置在审
| 申请号： | 202210627684.2 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN114959877A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋继林;王刚;刘学军 | 申请（专利权）人： | 扬州方通电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/22;C30B29/06 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 周鑫 |
| 地址： | 225600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明适用于单晶硅生产技术领域，公开了一种单晶硅锭的制造方法，其包括以下步骤；S1：加料：将多晶硅原料放入石英坩埚内等待加热融化,同时加入硼，磷，锑和砷进行混合，从而来提高硅原料的生产质量、S2：熔化：将多晶硅原料和添加的硼，磷，锑和砷进行加热，通过晶炉加热，将加热温度提升至1450℃。本发明通过石英坩埚内部的顶端设置有控温环，在单晶硅位于控温环的内部被提拉生长的过程中，控温环可对单晶硅周围温度形成恒定降温效果，在单晶硅等径生长的过程中，将对硅棒的外壁形成降温冷却，从而可以保证单晶硅的外壁得到一个稳定的生长值，从而大大提高单晶硅生产制作过程中的整体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 制造 方法 培育 装置 | ||
【主权项】：
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