[发明专利]一种单晶硅锭的制造方法及单晶硅培育装置

权利要求书

1.一种单晶硅锭的制造方法，其特征在于，包括以下步骤；

S1：加料：将多晶硅原料放入石英坩埚内等待加热融化,同时加入硼，磷，锑和砷进行混合，从而来提高硅原料的生产质量、

S2：熔化：将多晶硅原料和添加的硼，磷，锑和砷进行加热，通过晶炉加热，将加热温度提升至1450℃，温度高于多晶硅熔点，快速得到多晶硅溶液原料、

S3：缩颈生长、多晶硅溶液温度稳定后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中，籽晶与硅溶液接触时将籽晶快速向上提升，使硅液向上爬升，拉出硅棒顶部晶体、

S4：放肩生长、控制颈口处速度和温度，来控制晶体形成规定直径大小，调节该变晶体直径，并继续拉伸晶体、

S5：等径生长、控制硅棒的拉速，同时硅棒将位于控制环内移动控温，对硅棒移出时的稳定进行恒定，保证硅棒直径得到稳定的锁定，此时硅棒的直径将被确定，形成等径生长，作用于后续硅片的切取、

S6：尾部生长、晶棒与液面分离时，降低整体拉速，控制晶棒与硅溶液缓速分离，直到硅棒尾部形成尖点后，方可与液面分离，来保证硅棒的生产质量。

2.一种单晶硅培育装置，其特征在于，包括提拉装置本体(1)，所述提拉装置本体(1)的底端设置有石英坩埚(2)，所述石英坩埚(2)内部顶端的中部设置有控温环(4)，所述控温环(4)的内壁均匀分布开设有降温孔(11)，所述控温环(4)的外壁设置有输气管(10)，所述石英坩埚(2)的外壁安装有半导体制冷器(9)，且半导体制冷器(9)的进气口与输气管(10)的末端相连通。

3.根据权利要求2所述的一种单晶硅培育装置，其特征在于，所述控温环(4)的两端均固定有机架(3)，且机架(3)的顶端固定于石英坩埚(2)内部的顶端。

4.根据权利要求2所述的一种单晶硅培育装置，其特征在于，所述控温环(4)的内部呈中空状，所述输气管(10)通过控温环(4)与降温孔(11)相连通。

5.根据权利要求2所述的一种单晶硅培育装置，其特征在于，所述提拉装置本体(1)的左侧设置有气罩(6)，且气罩(6)的末端开设有吸气口(7)，所述气罩(6)的内部安装有风机(8)，所述提拉装置本体(1)的右侧均匀开设有散热孔(5)。