[发明专利]一种晶体压合的处理装置及处理方法在审
| 申请号： | 202210607504.4 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN114975182A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 李朝阳;朱宁;耿继宝;邢立娜;武朝辉;方田 | 申请（专利权）人： | 安徽创谱仪器科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海汉之律师事务所 31378 | 代理人： | 冯华 |
| 地址： | 230088 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体压合的处理装置，包括：上盖，设有进气口与排气口；导流板，固定在所述上盖内；气膜，设于所述上盖上，且位于所述导流板的一侧；壳体；压合平台，所述上盖、所述壳体以及所述压合平台之间依次可拆卸连接，且晶体与基底放置在所述压合平台上；以及紫外线光源，设于所述上盖或所述压合平台的一侧；其中，当向所述进气口鼓入气体时，所述气膜能够向外膨胀，并向晶体施加均匀的压力，当所述紫外线光源发射出紫外线光线时，所述紫外线光线能够对晶体与基底之间的紫外线固化胶水进行照射。通过本发明公开的一种晶体压合的处理装置，能够有效提升晶体的压合效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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