[发明专利]一种GaN基发光二极管的外延片结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202210605057.9 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN114695611B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 程金连;张彩霞;印从飞;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基发光二极管的外延片结构及其制备方法，该外延片结构包括：衬底、以及依次外延生长于所述衬底之上的AlN缓冲层、N型层、应力缓冲层、复合发光层、P型缓冲层以及P型层；其中，P型缓冲层包括预设周期个交替层叠的第一缓冲子层和第二缓冲子层，第一缓冲子层为AlGaN层，第二缓冲子层为GaN层，所述第一缓冲子层中的Al组分随生长周期的递增而逐渐减少，既能有效阻挡复合发光层的电子溢出，又能减少对P型层中空穴的阻碍以使空穴高效的流向复合发光层，第一缓冲子层的生长气压大于或等于预设气压，预设气压大于或等于第二缓冲子层的生长气压，用于降低第一缓冲子层中碳掺杂质，保证P型缓冲层的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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