[发明专利]一种LDMOS晶体管结构以及对应的制造方法在审
| 申请号： | 202210600722.5 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN115020486A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 许凯;张亦舒 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 徐晶晶 |
| 地址： | 310000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及LDMOS技术领域，公开了一种LDMOS晶体管结构以及对应的制造方法，包括：器件本体，所述器件本体包括衬底层和位于衬底层上方的N型漂移区，N型漂移区的上方设有按预定距离间隔排列的至少两个第二栅极；当器件本体处于关断状态下时，向至少两个第二栅极施加电压从而增加相应位置的击穿电压；当器件本体处于开启状态下时，向至少两个第二栅极施加电压从而降低导通电阻；本发明通过以上技术方案实现了对击穿电压和导通电阻矛盾的突破，提高了功率半导体芯片和电力智能设备的可靠性，保证了电网安全稳定运行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 晶体管 结构 以及 对应 制造 方法 | ||
【主权项】：
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