[发明专利]一种高电阻率ITO靶材的制备方法在审
| 申请号： | 202210594915.4 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN115159960A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 王奇峰;邵学亮;李开杰;李晴晴 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C23C14/08 |
| 代理公司： | 清远市清城区诺誉知识产权代理事务所(普通合伙) 44815 | 代理人： | 龚元元 |
| 地址： | 511500 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于靶材回收再利用技术领域，公开了一种高电阻率ITO靶材的制备方法。所述制备方法包括将废ITO靶胚依次经破碎、粉碎、过筛，将所得废靶胚粉末在400～600℃下进行热处理以除去其中含有的添加剂，再与氧化铟粉末进行混合球磨，得到一次球磨粉加入纯水混匀，造粒，过筛，然后在1450℃进行一次煅烧，将煅烧粉进行二次球磨，加入纯水混匀后造粒，过筛；将所得粉末进行压片成型，然后在1300～1550℃温度下进行烧结，得到ITO靶材。本发明方法直接将废弃的ITO靶胚转换为可以直接用于生产的ITO材料，具有过程简单、耗时短且绿色环保的优势，同时显著提升废靶胚中的金属回收率，减少资源的浪费并且降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻率 ito 制备 方法 | ||
【主权项】：
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