[发明专利]一种高电阻率ITO靶材的制备方法在审
| 申请号： | 202210594915.4 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN115159960A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 王奇峰;邵学亮;李开杰;李晴晴 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C23C14/08 |
| 代理公司： | 清远市清城区诺誉知识产权代理事务所(普通合伙) 44815 | 代理人： | 龚元元 |
| 地址： | 511500 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电阻率 ito 制备 方法 | ||
1.一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：
(1)将废ITO靶胚用破碎机进行破碎，然后用陶瓷粉碎机进行粉碎、过筛，得到废靶胚粉末；
(2)将步骤(1)中所得废靶胚粉末在400～600℃下进行热处理以除去其中含有的添加剂；
(3)将步骤(2)热处理后的废靶胚粉末和氧化铟粉末进行混合球磨，得到一次球磨粉，然后加入纯水混匀，造粒，过筛；
(4)将步骤(3)中经过造粒的粉末在1400～1500℃进行一次煅烧；
(5)将步骤(4)的煅烧粉进行二次球磨，然后加入纯水混匀，造粒，过筛；
(6)将步骤(5)处理后的粉末进行压片成型，然后在1300～1550℃温度下进行烧结，得到所述高电阻率ITO靶材。
2.根据权利要求1所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述破碎后颗粒的粒径为1～5cm，所述粉碎、过筛是指过80目的筛网。
3.根据权利要求1所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述热处理在马弗炉中进行，热处理时间控制在20～40h，热处理后C含量控制在50～100ppm。
4.根据权利要求1所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述热处理后的废靶胚粉末中氧化铟占90wt％，废靶胚粉末和氧化铟粉末加入的质量比为1:1。
5.根据权利要求4所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述混合球磨的转速为40～70rpm，球磨时间为6～10h。
6.根据权利要求5所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述纯水的加入量为一次球磨粉质量的8％～10％；所述造粒是指在17～30Mpa压力下进行造粒，所述过筛是指过0.5mm筛。
7.根据权利要求1所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述二次球磨的转速为40～70rpm，球磨时间为4～8h。
8.根据权利要求7所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述纯水的加入量为二次球磨粉质量的5％；所述造粒是指在4～10Mpa压力下进行造粒，所述过筛是指过0.5mm筛。
9.根据权利要求1所述的一种高电阻率ITO靶材的制备方法，其特征在于，步骤(6)中所述压片成型的尺寸为25*10mm。
10.一种高电阻率ITO靶材，其特征在于，通过权利要求1～9任一项所述的方法制备得到。
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