[发明专利]一种高电阻率ITO靶材的制备方法

说明书

本发明属于靶材回收再利用技术领域，公开了一种高电阻率ITO靶材的制备方法。所述制备方法包括将废ITO靶胚依次经破碎、粉碎、过筛，将所得废靶胚粉末在400～600℃下进行热处理以除去其中含有的添加剂，再与氧化铟粉末进行混合球磨，得到一次球磨粉加入纯水混匀，造粒，过筛，然后在1450℃进行一次煅烧，将煅烧粉进行二次球磨，加入纯水混匀后造粒，过筛；将所得粉末进行压片成型，然后在1300～1550℃温度下进行烧结，得到ITO靶材。本发明方法直接将废弃的ITO靶胚转换为可以直接用于生产的ITO材料，具有过程简单、耗时短且绿色环保的优势，同时显著提升废靶胚中的金属回收率，减少资源的浪费并且降低生产成本。

技术领域

本发明属于靶材回收再利用技术领域，具体涉及一种高电阻率ITO靶材的制备方法。

背景技术

现今工业化生产的背景下，生产效益的提升不应仅局限于生产设备的更新，更应该对现有生产环节进行优化。ITO靶材生产过程中会产生大量的损耗，特别是在靶胚成型过程中，大量废靶胚的产生不仅降低了粉料的利用率，同时还增加了靶材的生产成本。而现有的回收技术通常是将废靶胚中的氧化物进行提纯从而进行二次生产。这种生产技术不仅增加了企业的生产成本，还会造成资源的浪费。

专利CN 113149611 A公开了一种ITO废靶坯回收制备的ITO粉末、靶材及其制备方法，将CIP或CP后的ITO废靶坯进行粗破碎处理，然后进行精细粉碎后过筛，置入马弗炉并升温至200～600℃热处理，所得粉末加入纯水、消泡剂、粘结剂和分散剂混合均匀后进行球磨处理，得浆料，再经喷雾干燥处理后，经混料、过筛，得到ITO粉末。将所得ITO粉末液压成型，经过冷等静压处理，得ITO靶坯；所得ITO靶坯以第一升温速率升温加热至400～600℃并保温4.5～5.5h，随后以第二升温速率升温加热至1400～1600℃并保温7.5～8.5h，即得所述ITO靶材。但该专利技术只能得到回收ITO粉末成分(氧化铟/氧化锡＝90/10)的靶材，无法获得其它成分比例的靶材。

专利CN 107129277 A公开了一种ITO废靶回收粉末制备ITO靶材的方法，以气化回收ITO粉为原料，加入不小于原料质量0.5％的氧化锡和/或氧化铟粉末作为烧结活性增强剂，并使其分布于ITO粉中；将混合后的粉末加水、分散剂球磨后喷雾干燥，然后放入模具中以分阶段逐步加压，每次升压后保持一定时间的方式压制成初坯，然后再以分阶段逐步升压，每次升压后保持一定时间的方式经冷等静压制成坯体，制成的坯体经保温脱脂后，在氧气气氛下烧制成ITO靶材。专利CN 112960690 A公开了一种高效ITO废靶回收再利用的方法，该方法包括以下步骤：S1、清洗：用丙酮擦拭ITO废靶表面，然后用超声波清洗干净，干燥后备用；S2、电弧气化：将清洗后的ITO废靶放入直流电弧气化反应室中，通入100-200V直流电压产生的电弧，以将ITO废靶熔化、气化；S3、粉末回收：将气化后的ITO废靶骤冷，然后经分级收粉系统，得到ITO粉末。

上述通过气化回收ITO粉的方法存在能耗较高的缺陷。

发明内容

针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本发明的首要目的在于提供一种高电阻率ITO靶材的制备方法。本发明方法直接将废弃的ITO靶胚转换为可以直接用于生产的ITO粉体，具有过程简单、耗时短且绿色环保，同时显著提升废靶胚中的金属回收率，减少资源的浪费并且降低生产成本。

本发明的另一目的在于提供一种通过上述方法制备的高电阻率ITO靶材。

本发明目的通过以下技术方案实现：

一种高电阻率ITO靶材的制备方法，包括如下制备步骤：

(1)将废ITO靶胚用破碎机进行破碎，然后用陶瓷粉碎机进行粉碎、过筛，得到废靶胚粉末；

(2)将步骤(1)中所得废靶胚粉末在400～600℃下进行热处理以除去其中含有的添加剂；