[发明专利]一种抑制SiC MOSFET米勒平台电压骤降的驱动电路

摘要

本发明公开了一种抑制SiC MOSFET米勒平台电压骤降的驱动电路，分别设置于上桥臂和下桥臂；驱动电路中，一电阻的一端、第二电阻的一端、第三电阻的一端并联于推挽输出接口；第二电阻的另一端连接第一肖特基二极管的阴极，第三电阻的另一端连接电容的一端和N沟道场效应管的漏极；N沟道场效应管的栅极接第四电阻的一端，第四电阻的另一端接受控脉冲源的正极，受控脉冲源的阴极与N沟道场效应管的源极均连接第二肖特基二极管的阳极；第一肖特基二极管的阳极、第一电阻的另一端、电容的另一端、第二肖特基二极管的阴极均连接SiC MOSFET的栅极。本发明能够抑制SiC MOSFET功率器件的米勒平台电压大幅下降和栅极串扰。