[发明专利]用于具有部分漏极侧选择栅极的存储器设备的经改善的编程技术在审
| 申请号： | 202210580036.6 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN115910164A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 杨翔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;H10B41/10;H10B41/35;H10B41/27;H10B43/10;H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 袁策;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种操作存储器设备的方法。该方法包括制造存储器设备的步骤，该存储器设备包括具有全SGD晶体管的第一组存储器孔和具有部分SGD晶体管的第二组存储器孔。该第二组包括一组所选择的部分SGD晶体管和一组未选择的部分SGD晶体管两者。该方法继续进行使该组未选择的部分SGD晶体管中的第一未选择的部分SGD晶体管电浮动。在至少一个第一未选择的部分SGD晶体管电浮动的情况下，该方法继续减小施加到邻近第一未选择的部分SGD晶体管的至少一个晶体管或存储器单元的电压，使得第一未选择的部分SGD晶体管的电压通过电容耦合效应降低。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 部分 漏极侧 选择 栅极 存储器 设备 改善 编程 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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