[发明专利]一种Zn(O,S)薄膜的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202210578268.8 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN114975653B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 辛颢;韩帅琪;刘乃云;闫伟博 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张雅文 |
| 地址： | 210023 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种Zn(O,S)薄膜的制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：将基底浸入含有硫源、锌源和络合剂的混合溶液中进行化学浴沉积，制备Zn(O,S)前驱体膜，将该前驱体膜进行两步退火，即先缓慢升温退火，然后经过恒定高温退火，得到均匀、致密、平整的Zn(O,S)薄膜；最后将Zn(O,S)薄膜作为缓冲层应用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池。本申请优化了Zn(O,S)薄膜的制备方法，抑制了一步热退火对Zn(O,S)薄膜的损伤，提高了Zn(O,S)薄膜的均匀性、致密性、平整度，为实现溶液法、大面积、廉价制备无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池器件的工业化应用提供了技术支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zn 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
