[发明专利]二硫化钼钛酸钡复合纳米卷光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210566289.8 | 申请日： | 2022-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN115036379A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张骐;苏俊;李馨 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0336 | 分类号： | H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体光电探测技术领域，提供了一种二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷光电探测器及其制作方法，分为以下四步：(1)制备单层二硫化钼薄膜；(2)制备二硫化钼钛酸钡复合材料；(3)制备二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷；(4)制备基于(3)中材料的光电探测器。通过引入钛酸钡纳米颗粒与二硫化钼复合后构筑纳米卷结构，可以显著提升二硫化钼的光响应度，从而得到一种具有高光响应度的光电探测器件。同时该探测器具有良好的环境稳定性，且所用原料绿色环保，所用设备简单，制备容易，成本低廉，易于大规模制备。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 钛酸钡 复合 纳米 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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