[发明专利]二硫化钼钛酸钡复合纳米卷光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.二硫化钼钛酸钡复合纳米卷光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)制备单层二硫化钼薄膜；

步骤(2)制备二硫化钼钛酸钡复合材料：将钛酸钡纳米颗粒置于有机挥发溶液中超声处理至均匀分散，在二硫化钼薄膜上旋涂分散液，干燥后得到二硫化钼钛酸钡复合材料；

步骤(3)制备二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷；

步骤(4)将金属电极转移到步骤(3)制备得到的二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷上，得到光电探测器。

2.如权利要求1所述的二硫化钼钛酸钡复合纳米卷光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(3)具体为：

在步骤(2)制备的二硫化钼钛酸钡复合材料表面滴入碳酸氢钠溶液，加热后，用去离子水冲洗干净，用氮气吹干得到二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷。

3.如权利要求2所述的二硫化钼钛酸钡复合纳米卷光电探测器的制备方法，其特征在于，所述碳酸氢钠溶液浓度为0.2-1M，所述加热的加热温度为30-70℃，加热时间为5s到90s。

4.如权利要求2所述的二硫化钼钛酸钡复合纳米卷光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)具体为：

用六甲基二硅胺烷熏蒸金属电极，旋涂聚甲基丙烯酸甲酯溶液到金属电极上，

用聚二甲基硅氧烷使金属电极脱落转移到所述纳米卷上，得到二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷光电探测器。

5.如权利要求2所述的二硫化钼钛酸钡复合纳米卷光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)具体为：

将粒径为100nm的钛酸钡纳米颗粒置于异丙醇溶液中超声处理至均匀分散，分散液浓度为0.1M，

在二维二硫化钼薄膜上旋涂分散液，旋涂转速500r·min^-1，旋涂时长10s，调高转速至5000r·min^-1，旋涂60s，干燥后得到二硫化钼钛酸钡复合材料。

6.如权利要求2所述的二硫化钼钛酸钡复合纳米卷光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，制备单层二硫化钼薄膜的方式为：运用化学气相沉积方法，在二氧化硅衬底上生长二维二硫化钼薄膜制备单层二硫化钼薄膜。

7.如权利要求6所述的二硫化钼钛酸钡复合纳米卷光电探测器的制备方法，其特征在于，所述运用化学气相沉积方法，在二氧化硅衬底上生长二维二硫化钼薄膜的具体工艺如下：取5mg三氧化钼粉末放置在管式炉石英管下游，取500mg硫粉放置在管式炉石英管上游，以50℃·min^-1的升温速率将三氧化钼的温度提高到900℃，并保持2min，当温度升高到600℃时，以30℃·min^-1将硫粉升温至180℃，反应过程中，通入80sccm的氩气作为载气，反应结束后，将管式加热炉自然冷却至室温。

8.使用如权利要求1～7中任意一项所述的二硫化钼钛酸钡复合纳米卷光电探测器的制备方法，所制得的二硫化钼钛酸钡复合纳米卷光电探测器。

9.一种二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷光电探测器，其特征在于，包括自下而上依次堆叠的绝缘介质层，二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷层，以及彼此间隔设置在所述二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷层上的金属电极。