[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202210556046.6 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN116056448A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 金东完;朴桐湜;朴建熹;朴晙晳;张志熏;张贤禹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域、外围区域以及位于所述单元区域与所述外围区域之间的边界区域；位线，所述位线设置在所述单元区域上并且在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸；位线覆盖图案，所述位线覆盖图案设置在所述位线上；以及边界图案，所述边界图案设置在所述边界区域上。所述位线的端部可以与所述边界图案的第一界面接触，并且所述位线覆盖图案可以包括与所述边界图案相同的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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