[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202210556046.6 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN116056448A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 金东完;朴桐湜;朴建熹;朴晙晳;张志熏;张贤禹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
衬底，所述衬底包括单元区域、外围区域以及位于所述单元区域与所述外围区域之间的边界区域；
位线，所述位线设置在所述单元区域上并且在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸；
位线覆盖图案，所述位线覆盖图案设置在所述位线上；以及
边界图案，所述边界图案设置在所述边界区域上，
其中，所述位线的端部与所述边界图案的第一界面接触，并且
所述位线覆盖图案包括与所述边界图案相同的材料。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述边界图案的所述第一界面由氮化硅形成。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述边界图案由氮化硅形成。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述位线覆盖图案包括上覆盖图案，并且
所述上覆盖图案包括与所述边界图案相同的材料。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述单元区域和所述边界区域上的缓冲图案，
其中，所述边界图案设置在所述缓冲图案上。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括单元沟槽，所述单元沟槽设置在所述位线之间并且在所述第一方向上从所述单元区域延伸到所述边界区域，
其中，所述单元沟槽包括延伸到所述边界图案中的第一端部。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述边界图案的一部分在所述边界区域上形成各个所述单元沟槽的内侧表面的至少一部分。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述边界图案的所述一部分由氮化硅形成。
9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述单元沟槽的所述第一端部布置为在第二方向上形成锯齿形状，所述第二方向平行于所述衬底的所述顶表面并与所述第一方向交叉。
10.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述单元沟槽的所述第一端部比所述位线的所述端部更靠近所述外围区域。
11.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
衬底，所述衬底包括单元区域、外围区域以及位于所述单元区域与所述外围区域之间的边界区域；
位线，所述位线设置在所述单元区域上并且在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸；
位线覆盖图案，所述位线覆盖图案位于所述位线上；
单元沟槽，所述单元沟槽设置在所述位线之间并且在所述第一方向上从所述单元区域延伸到所述边界区域；以及
边界图案，所述边界图案设置在所述边界区域上，
其中，所述单元沟槽包括延伸到所述边界图案中的第一端部，并且
所述位线覆盖图案包括与所述边界图案相同的材料。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述边界图案的一部分在所述边界区域上形成各个所述单元沟槽的内侧表面的至少一部分。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述边界图案的所述一部分由氮化硅形成。
14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述单元沟槽的所述第一端部布置为在第二方向上形成锯齿形状，所述第二方向平行于所述衬底的所述顶表面并与所述第一方向交叉。
15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述位线覆盖图案包括上覆盖图案，并且
所述上覆盖图案包括与所述边界图案相同的材料。
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