[发明专利]一种半导体器件结构及其制造方法、DRAM和电子设备在审
| 申请号： | 202210542087.X | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN116234304A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王祥升;王桂磊;赵超 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陈丹;张奎燕 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件结构及其制造方法、DRAM和电子设备，半导体器件结构包括衬底、分别设置在所述衬底第一侧和第二侧的外围电路区和存储区，所述外围电路区和所述存储区电连接；所述外围电路区包括外围电路，所述存储区包括：金属互连层；多个存储单元列，每个存储单元列均包括多个存储单元；存储单元包括晶体管和电容器，晶体管和电容器的结构与说明书的定义相同；多条位线，多个存储单元的晶体管的源极区均与一条共用的位线连接；多条字线。本申请实施例的半导体器件结构将多个存储单元堆叠起来，而且采用CuA结构设置外围电路和存储单元，可以节省衬底面积，有效提高半导体存储器的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 及其 制造 方法 dram 电子设备 | ||
【主权项】：
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