[发明专利]基于激光退火的晶圆分区RS量测方法、终端和存储介质在审
| 申请号： | 202210540380.2 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN114999950A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 刘庆锋;王诚;李家超 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于激光退火的晶圆分区RS量测方法、终端和存储介质，通过将晶圆控片以圆心为原点建立X‑Y直角坐标系，以将晶圆控片划分为至少2个晶圆控片分区，而后基于激光退火机提供的矩形光斑对各个晶圆控片分区分别进行不同的局部激光退火，再对各个晶圆控片分区分别进行RS量测，从而获取RS数据。本发明通过激光退火机中的光路扫描与工作台步进的运动配合，可实现对晶圆控片的局部退火；以晶圆控片圆心为原点建立晶圆控片分区，可有效代表整片晶圆的特性；对晶圆控片的分区操作可获得稳定可靠的RS量测数据，且可有效节约晶圆控片的数量，大幅度节约工艺机台和RS量测机台的传送时间，从而达到降本增效的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 激光 退火 分区 rs 方法 终端 存储 介质 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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