[发明专利]基于激光退火的晶圆分区RS量测方法、终端和存储介质

说明书

本发明提供一种基于激光退火的晶圆分区RS量测方法、终端和存储介质，通过将晶圆控片以圆心为原点建立X‑Y直角坐标系，以将晶圆控片划分为至少2个晶圆控片分区，而后基于激光退火机提供的矩形光斑对各个晶圆控片分区分别进行不同的局部激光退火，再对各个晶圆控片分区分别进行RS量测，从而获取RS数据。本发明通过激光退火机中的光路扫描与工作台步进的运动配合，可实现对晶圆控片的局部退火；以晶圆控片圆心为原点建立晶圆控片分区，可有效代表整片晶圆的特性；对晶圆控片的分区操作可获得稳定可靠的RS量测数据，且可有效节约晶圆控片的数量，大幅度节约工艺机台和RS量测机台的传送时间，从而达到降本增效的目的。

技术领域

本发明属于半导体领域，涉及一种基于激光退火的晶圆分区RS量测方法、终端和存储介质。

背景技术

在半导体领域中，离子注入是一种必不可少的技术手段，其是指当真空中的离子束在射向一块固体材料后，因受到固体材料的抵抗，而速度慢慢降低下来，并最终停留在固体材料中的现象。目前，离子注入已成为半导体中一种重要的掺杂技术，也是控制半导体器件阈值电压的一个重要手段。

在离子注入工艺中，当将杂质离子加速获得较大的动能后，杂质离子即可以进入半导体中，而后在进行退火工艺时，可将离子注人导致的晶格损伤消除，掺杂离子在高温下扩散并重新分布，以重构晶体，被激活释放出空穴或者电子，以实现掺杂。

在生产过程中，对离子注入工艺进行均一性的监控是制备高性能器件的必要手段，现有的测试方法包括方块电阻量测法(RS)或热波探伤法(Thermal Wave)等。其中，RS量测法因操作便捷，成为目前产业中对离子注入工艺进行均一性监控的主要方法。

半导体加工产业中，产品在量产前须进行大量的工艺实验，以验证机台指标和工艺条件，现有的RS量测法主要是对完成离子注入的晶圆控片进行退火，而后进行RS量测，一旦晶圆控片完成退火工艺，晶圆控片的性质将会发生改变，既此工艺为不可逆工艺，因此每一片晶圆控片在进行完实验验证后将无法再次重复使用，从而会被报废处理。

因此，寻找一种新的基于激光退火的晶圆分区RS量测方法、终端和存储介质，以降低晶圆控片的消耗量，实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基于激光退火的晶圆分区RS量测方法、终端和存储介质，用于解决现有技术中在进行RS量测时，晶圆控片消耗量大的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种基于激光退火的晶圆分区RS量测方法，包括以下步骤：

将晶圆控片以圆心为原点建立X-Y直角坐标系，包括将所述晶圆控片沿X正方向与Y正方向划分为第一象限、沿X负方向与Y正方向划分为第二象限，沿X负方向与Y负方向划分为第三象限，沿X正方向与Y负方向划分为第四象限，且根据象限划分将所述晶圆控片划分为至少2个区域，获取晶圆控片分区；

基于激光退火机提供的矩形光斑对各个所述晶圆控片分区分别进行不同的激光退火工艺，完成对各个所述晶圆控片分区的局部激光退火；

对各个所述晶圆控片分区分别进行RS量测，获取与各个所述晶圆控片分区相对应的RS数据。

可选地，获取所述晶圆控片分区时，根据象限划分将所述晶圆控片划分为等分区域，包括将所述晶圆控片划分为具有2个相邻象限的2等分的晶圆控片分区，或将所述晶圆控片划分为与各个象限对应的4等分的晶圆控片分区。

可选地，获取所述晶圆控片分区时，根据象限划分将所述晶圆控片划分为分别具有1个象限及3个象限的非等分的晶圆控片分区。

可选地，所述晶圆控片为分区域完成离子注入的晶圆控片，且所述离子注入工艺的区域划分与所述激光退火工艺的区域划分一一对应。

可选地，所述离子注入工艺中，注入的离子包括Ⅲ族离子或Ⅴ族离子。